Японские исследователи разработали технологию, которая, как утверждается, позволяет флэш-памяти типа NAND работать при напряжении 1 В. Это позволит снизить энергопотребление на 86% по сравнению с существующими образцами, рассчитанными на напряжение 1,8 В. В проекте участвовали специалисты университета Токио и института AIST (Advanced Industrial Science and Technology).

Уменьшить энергетические аппетиты новой памяти позволило применение ферроэлектрического материала. Если быть более точным, ферроэлектрическая пленка служит в качестве изолятора, разделяющего металлический затвор и ячейку флэш-памяти. Напряжение, необходимое для записи, примерно равно 6 В, тогда как в случае обычной флэш-памяти оно составляет около 20 В. Из более низкого напряжения питания такое напряжение получается путем «накачки» в специальной цепи. Если понизить напряжение питания в существующих образцах, потребуется больше ступеней «накачки». Память, созданная участниками проекта, обходится без этого усложнения схемы. Ключевым элементом разработки, позволяющим избежать ошибок при записи с пониженным напряжением, является метод записи, который исследователи назвали «Single-cell Self-boost method». Его суть заключается в определенных манипуляциях с соседними ячейками, позволяющих повысить разность потенциалов между выбранной и невыбранной ячейками.

Малое энергопотребление ценно не только само по себе. Если использовать новую память в твердотельном накопителе, можно записывать данные одновременно в большое количество чипов (до 110), что позволяет повысить скорость записи SSD до впечатляющего значения 9,5 ГБ/с. Это примерно в семь раз больше, чем в случае накопителей на флэш-памяти типа NAND, выпускаемой сейчас.

Сведения о разработке были опубликованы в ходе мероприятия под названием IMW 2010 (IEEE International Memory Workshop), которое проходило с 16 по 19 мая в Сеуле.