Принципы хранения информации в оперативной динамической памяти
Динамическая память — DRAM
(Dynamic RAM) — получила свое название от принципа действия ее
запоминающих ячеек, которые выполнены в виде конденсаторов,
образованных элементами полупроводниковых микросхем. С некоторым
упрощением описания физических процессов можно сказать, что при записи
логической единицы в ячейку конденсатор заряжается, при записи нуля —
разряжается. Схема считывания разряжает через себя этот конденсатор, и,
если заряд был ненулевым, выставляет на своем выходе единичное
значение, и подзаряжает конденсатор до прежнего значения. При
отсутствии обращения к ячейке со временем за счет токов утечки
конденсатор разряжается и информация теряется, поэтому такая память
требует постоянного периодического подзаряда конденсаторов (обращения к
каждой ячейке) — память может работать только в динамическом режиме.
Этим она принципиально отличается от статической памяти, реализуемой на
триггерных ячейках и хранящей информацию без обращений к ней сколь
угодно долго (при включенном питании). Благодаря относительной простоте
ячейки динамической памяти на одном кристалле удается размещать
миллионы ячеек и получать самую дешевую полупроводниковую память
достаточно высокого быстродействия с умеренным энергопотреблением,
используемую в качестве основной памяти компьютера. Расплатой за низкую
цену являются некоторые сложности в управлении динамической памятью.
